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功率MOS產品

特點:

密勒半導體熟悉8inch，12inch 等功率MOS芯片代工的一線制程工藝。推出第四代SGT平臺工藝，掌握業界一流的功率MOS代工技術，100%雪崩測試，100% BVDS測試，通過Clip封裝可以實現0.5mΩ導通阻抗。PDFN3*3 30V可以實現最低2mΩ阻抗。高FOM品質因素，更好的EMI特性，密勒半導體將器件小型化做到極致。

密勒團隊在智能硬件領域以及以BYD代表的車載電子應用經驗豐富。密勒半導體產品成功應用在手機通訊，智能家居,智能穿戴IOT，無人機，汽車電子，安防照明，電源適配器，網絡通信等領域。陸續導入了CVTE,HONOR,NOKIA,ONE-PLUS,小米，傳音，倍思，安克，Realme，ZTE,龍旗，Belkin，BYD,JBL,ZKTeco等公司產品

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功率MOS選型與推薦表

N/P	MillerP/N	Assembly	BVDSS(V)		ID(A)	VTH(V)			VGS(V)	Ron(10VmΩ)		Ron(4.5V)mΩ		Ron(2.5V)mΩ
N/P	MillerP/N	Assembly	Min	Typ	25℃	Min	Typ	Max	VGS(V)	Typ	Max	Typ	Max	Typ	Max
20V-NMOS	MN20D02M	TO-252	20	22	90	0.45	0.62	1	±10			2.8	4.5	3.3	5
20V-NMOS	MN20G02M	PDFN5*6	20	22	90	0.45	0.62	1	±10			2.8	4.5	3.3	5
20V-PMOS	MP20G08M	PDFN5*6	-20	-22	-18	-0.4	-0.62	-1	±10			8.5	11	10.5	14
	MP20D08M	TO-252	-20	-22	-18	-0.4	-0.62	-1	±10			8.5	11	10.5	14
	MP20Q10M	DFN3*3	-20	-22	-12	-0.5	-0.8	-1.2	±12			9.5	12.5	13	16.5
30VNMOS	MN30Q05M	DFN3*3	30	33	60	1	1.6	3	±20	8	10	10.5	13
	MN30Q20M	DFN3*3	30	33	26	1	1.6	3	±20	18	21	24	27
	MN30D04MR	TO-252	30	33	80	1.6	3		±20	4	6	5.5	7
	MN30P04MR	SOP-8	30		18	1	1.6	3	±20	5	6.5	6.8	8
	MN30D02MR	TO-252	30	33	140	1	1.6	3	±20	2.5	3	3.5	4
	MN30G03M	PDFN5*6	30	33	100	1	1.6	3	±20	3	4.5	5	6.5
	MN30P14	SOP-8	30		12	1	1.5	2.5	±20	6.7	11	8.7	14
	MN30G03	PDFN5*6	30		100	1	1.6	3	±20	3.3	4.3	4.3	5.5
30VPMOS	MP30P11MR	SOP-8	-30	-33	13	-1	-1.6	-3	±20	11	14	16	19
	MP30Q11M	PDFN3*3	-30	-33	-20	-1.1	-1.6	-1.9	±20	8.6	9.6	12	15
	MP30Q12M	DFN3*3	-30	-33	-18	-1.1	-1.5	-2.9	±20	11.2	15	18	25
	MP30Q20M	DFN3*3	-30	-33	-20	-1	-1.6	-2.8	±25	17	20	21	25
	MP30G08M	PDFN5*6	-30	-33	-35	-1	-1.5	-2.5	±20	7	9.2
	MP30P16	SOP-8	-30	-33	-12	-1.2	-1.8	-2.8	±25	10.2	12.5	16	25
	MP30G16M	PDFN5*6	-30	-22	-12	-1.2	-1.8	-2.8	±25	10.2	12.5	16	25
	MP30G07M	PDFN5*6	-30	-33	40	-1	-1.5	-3	±20	7.5	8.5	9	11
	MP30D07M	TO252	-30	-33	40	-1	-1.5	-3	±20	7.5	8.5	9	11

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